M.2 2280 250GB Samsung 970 EVO Plus Client SSD MZ-V7S250BW PCIe Gen3x4 with NVMe, 3500/2300, IOPS 250/550K, MTBF 1.5M, 3D NAND TLC, 512MB, 150TBW, NVMe 1.3, RTL {10} (628079)
Характеристики
Версия PCI-EPCIe 3.1 x4 w/NVMe | Вид устройстваВнутренний твердотельный накопитель | Внешняя скорость передачи данных, до3940 |
Глубина80 | КонтроллерSamsung Phoenix | Максимальная скорость записи2300 |
Максимальная скорость чтения3500 | Номинальный объем250 | Объем буфера512 |
Нашли дешевле?
Введите адрес доставки
Описание
Интерфейс:
Тип интерфейса: PCI Express
Версия PCI-E: PCIe 3.1 x4 w/NVMe
Вид устройства: Внутренний твердотельный накопитель
Серия продукции: 970 EVO Plus
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format): Да
Форм-фактор: M.2 2280
Номинальный объем, ГБ: 500
Объем после форматирования, GiB: 470.4
Тип памяти: 3D V-NAND TLC
Объем буфера, МБ: 512
Тип буферной памяти, Мб: DDR4
Контроллер: Samsung Phoenix
Внешняя скорость передачи данных, до, МБ/с: 3940
Максимальная скорость чтения, МБ/с: 3500
Максимальная скорость записи, МБ/с: 3200
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS: 480
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS: 550
Поддержка Background Garbage Collection: Да
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.: 1500
Суммарное число записываемых Байт (TBF), ТБ: 150
Ударостойкость при работе, G: 1500
Ударостойкость при хранении, G: 1500
Энергопотребление при работе, Вт: 9
Размеры:
Ширина, мм: 22
Высота, мм: 2.38
Глубина, мм: 80
Тип комплектации: RTL
Ссылка на описание: https://www.samsung.com/ru/ssd/970-evo-plus/MZ-V7S500BW/
Интерфейс:
Тип интерфейса: PCI Express
Версия PCI-E: PCIe 3.1 x4 w/NVMe
Вид устройства: Внутренний твердотельный накопитель
Серия продукции: 970 EVO Plus
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format): Да
Форм-фактор: M.2 2280
Номинальный объем, ГБ: 250
Объем после форматирования, GiB: 229.7
Тип памяти: 3D V-NAND TLC
Объем буфера, МБ: 512
Тип буферной памяти, Мб: DDR4
Контроллер: Samsung Phoenix
Внешняя скорость передачи данных, до, МБ/с: 3940
Максимальная скорость чтения, МБ/с: 3500
Максимальная скорость записи, МБ/с: 2300
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS: 250
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS: 550
Поддержка Background Garbage Collection: Да
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.: 1500
Суммарное число записываемых Байт (TBF), ТБ: 150
Ударостойкость при работе, G: 1500
Ударостойкость при хранении, G: 1500
Энергопотребление при работе, Вт: 8
Размеры:
Ширина, мм: 22
Высота, мм: 2.38
Глубина, мм: 80
Тип комплектации: RTL
Ссылка на описание: https://www.samsung.com/ru/ssd/970-evo-plus/MZ-V7S250BW/
Тип интерфейса: PCI Express
Версия PCI-E: PCIe 3.1 x4 w/NVMe
Вид устройства: Внутренний твердотельный накопитель
Серия продукции: 970 EVO Plus
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format): Да
Форм-фактор: M.2 2280
Номинальный объем, ГБ: 500
Объем после форматирования, GiB: 470.4
Тип памяти: 3D V-NAND TLC
Объем буфера, МБ: 512
Тип буферной памяти, Мб: DDR4
Контроллер: Samsung Phoenix
Внешняя скорость передачи данных, до, МБ/с: 3940
Максимальная скорость чтения, МБ/с: 3500
Максимальная скорость записи, МБ/с: 3200
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS: 480
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS: 550
Поддержка Background Garbage Collection: Да
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.: 1500
Суммарное число записываемых Байт (TBF), ТБ: 150
Ударостойкость при работе, G: 1500
Ударостойкость при хранении, G: 1500
Энергопотребление при работе, Вт: 9
Размеры:
Ширина, мм: 22
Высота, мм: 2.38
Глубина, мм: 80
Тип комплектации: RTL
Ссылка на описание: https://www.samsung.com/ru/ssd/970-evo-plus/MZ-V7S500BW/
Интерфейс:
Тип интерфейса: PCI Express
Версия PCI-E: PCIe 3.1 x4 w/NVMe
Вид устройства: Внутренний твердотельный накопитель
Серия продукции: 970 EVO Plus
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format): Да
Форм-фактор: M.2 2280
Номинальный объем, ГБ: 250
Объем после форматирования, GiB: 229.7
Тип памяти: 3D V-NAND TLC
Объем буфера, МБ: 512
Тип буферной памяти, Мб: DDR4
Контроллер: Samsung Phoenix
Внешняя скорость передачи данных, до, МБ/с: 3940
Максимальная скорость чтения, МБ/с: 3500
Максимальная скорость записи, МБ/с: 2300
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS: 250
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS: 550
Поддержка Background Garbage Collection: Да
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.: 1500
Суммарное число записываемых Байт (TBF), ТБ: 150
Ударостойкость при работе, G: 1500
Ударостойкость при хранении, G: 1500
Энергопотребление при работе, Вт: 8
Размеры:
Ширина, мм: 22
Высота, мм: 2.38
Глубина, мм: 80
Тип комплектации: RTL
Ссылка на описание: https://www.samsung.com/ru/ssd/970-evo-plus/MZ-V7S250BW/
Технические характеристики M.2 2280 250GB Samsung 970 EVO Plus Client SSD MZ-V7S250BW PCIe Gen3x4 with NVMe, 3500/2300, IOPS 250/550K, MTBF 1.5M, 3D NAND TLC, 512MB, 150TBW, NVMe 1.3, RTL {10} (628079)
Общие сведения
Версия PCI-E | PCIe 3.1 x4 w/NVMe |
---|---|
Вид устройства | Внутренний твердотельный накопитель |
Внешняя скорость передачи данных, до | 3940 |
Глубина | 80 |
Контроллер | Samsung Phoenix |
Максимальная скорость записи | 2300 |
Максимальная скорость чтения | 3500 |
Номинальный объем | 250 |
Объем буфера | 512 |
Объем после форматирования | 229.7 |
Поддержка Background Garbage Collection | Да |
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format) | Да |
Позиционирование использования | Desktop |
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ) | 250 |
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ) | 550 |
Среднее время наработки на отказ (MTBF) | 1500 |
Суммарное число записываемых Байт (TBF) | 150 |
Тип буферной памяти | DDR4 |
Тип интерфейса | PCI Express |
Тип комплектации | RTL |
Ударостойкость при работе | 1500 |
Ударостойкость при хранении | 1500 |
Форм-фактор | M.2 2280 |
Энергопотребление при работе | 8 |
Тип памяти | 3D V-NAND TLC |
Серия продукции | 970 EVO Plus |
Высота | 2.38 |
Ширина | 22 |
Ссылка на описание | https://www.samsung.com/ru/ssd/970-evo-plus/MZ-V7S250BW/ |
Вопросы и ответы 0
-
Еще не было вопросов