M.2 2280 500GB Samsung 980 Client SSD MZ-V8V500BW PCIe Gen4x4 with NVMe, 3100/2600, IOPS 400/470K, MZ-V8V500BW MTBF 1.5M, 3D NAND TLC, 300TBW, 0,33DWPD, RTL {10}, (572227)
Рассрочка 0-0-12
Характеристики
Версия PCI-EPCIe 3.0 x4 w/NVMe | Вид устройстваВнутренний твердотельный накопитель | Внешняя скорость передачи данных, до3840 |
Глубина140 | Максимальная скорость записи2600 | Максимальная скорость чтения3100 |
Номинальный объем500 | Объем после форматирования470.4 | Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format)Да |
Нашли дешевле?
Введите адрес доставки
Описание
Интерфейс:
Тип интерфейса: PCI Express
Версия PCI-E: PCIe 3.0 x4 w/NVMe
Вид устройства: Внутренний твердотельный накопитель
Позиционирование использования: Desktop
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format): Да
Форм-фактор: M.2 2280
Номинальный объем, ГБ: 1000
Объем после форматирования, GiB: 953
Тип памяти: 3D NAND TLC
Внешняя скорость передачи данных, до, МБ/с: 3840
Максимальная скорость чтения, МБ/с: 3500
Максимальная скорость записи, МБ/с: 3000
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS: 500
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS: 480
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.: 1500
Суммарное число записываемых Байт (TBF), ТБ: 600
Ударостойкость при хранении, G: 1500
Ударостойкость при работе, G: 1500
Энергопотребление при работе, Вт: 5.3
Размеры:
Ширина, мм: 22
Высота, мм: 2.38
Глубина, мм: 80
Тип комплектации: RTL
Ссылка на описание: https://www.samsung.com/ru/memory-storage/nvme-ssd/980-1tb-nvme-pcie-gen-3-mz-v8v1t0bw/
Интерфейс:
Тип интерфейса: PCI Express
Версия PCI-E: PCIe 3.0 x4 w/NVMe
Вид устройства: Внутренний твердотельный накопитель
Позиционирование использования: Desktop
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format): Да
Форм-фактор: M.2 2280
Номинальный объем, ГБ: 500
Объем после форматирования, GiB: 470.4
Тип памяти: 3D NAND TLC
Внешняя скорость передачи данных, до, МБ/с: 3840
Максимальная скорость чтения, МБ/с: 3100
Максимальная скорость записи, МБ/с: 2600
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS: 400
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS: 470
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.: 1500
Суммарное число записываемых Байт (TBF), ТБ: 300
Ударостойкость при хранении, G: 1500
Ударостойкость при работе, G: 1500
Энергопотребление при работе, Вт: 5.3
Размеры:
Ширина, мм: 22
Высота, мм: 2.38
Глубина, мм: 80
Тип комплектации: RTL
Ссылка на описание: https://www.samsung.com/ru/memory-storage/nvme-ssd/980-1tb-nvme-pcie-gen-3-mz-v8v1t0bw/
Тип интерфейса: PCI Express
Версия PCI-E: PCIe 3.0 x4 w/NVMe
Вид устройства: Внутренний твердотельный накопитель
Позиционирование использования: Desktop
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format): Да
Форм-фактор: M.2 2280
Номинальный объем, ГБ: 1000
Объем после форматирования, GiB: 953
Тип памяти: 3D NAND TLC
Внешняя скорость передачи данных, до, МБ/с: 3840
Максимальная скорость чтения, МБ/с: 3500
Максимальная скорость записи, МБ/с: 3000
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS: 500
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS: 480
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.: 1500
Суммарное число записываемых Байт (TBF), ТБ: 600
Ударостойкость при хранении, G: 1500
Ударостойкость при работе, G: 1500
Энергопотребление при работе, Вт: 5.3
Размеры:
Ширина, мм: 22
Высота, мм: 2.38
Глубина, мм: 80
Тип комплектации: RTL
Ссылка на описание: https://www.samsung.com/ru/memory-storage/nvme-ssd/980-1tb-nvme-pcie-gen-3-mz-v8v1t0bw/
Интерфейс:
Тип интерфейса: PCI Express
Версия PCI-E: PCIe 3.0 x4 w/NVMe
Вид устройства: Внутренний твердотельный накопитель
Позиционирование использования: Desktop
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format): Да
Форм-фактор: M.2 2280
Номинальный объем, ГБ: 500
Объем после форматирования, GiB: 470.4
Тип памяти: 3D NAND TLC
Внешняя скорость передачи данных, до, МБ/с: 3840
Максимальная скорость чтения, МБ/с: 3100
Максимальная скорость записи, МБ/с: 2600
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS: 400
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS: 470
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.: 1500
Суммарное число записываемых Байт (TBF), ТБ: 300
Ударостойкость при хранении, G: 1500
Ударостойкость при работе, G: 1500
Энергопотребление при работе, Вт: 5.3
Размеры:
Ширина, мм: 22
Высота, мм: 2.38
Глубина, мм: 80
Тип комплектации: RTL
Ссылка на описание: https://www.samsung.com/ru/memory-storage/nvme-ssd/980-1tb-nvme-pcie-gen-3-mz-v8v1t0bw/
Технические характеристики M.2 2280 500GB Samsung 980 Client SSD MZ-V8V500BW PCIe Gen4x4 with NVMe, 3100/2600, IOPS 400/470K, MZ-V8V500BW MTBF 1.5M, 3D NAND TLC, 300TBW, 0,33DWPD, RTL {10}, (572227)
Общие сведения
Версия PCI-E | PCIe 3.0 x4 w/NVMe |
---|---|
Вид устройства | Внутренний твердотельный накопитель |
Внешняя скорость передачи данных, до | 3840 |
Глубина | 140 |
Максимальная скорость записи | 2600 |
Максимальная скорость чтения | 3100 |
Номинальный объем | 500 |
Объем после форматирования | 470.4 |
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format) | Да |
Позиционирование использования | Desktop |
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ) | 400 |
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ) | 470 |
Среднее время наработки на отказ (MTBF) | 1500 |
Суммарное число записываемых Байт (TBF) | 300 |
Тип интерфейса | PCI Express |
Тип комплектации | RTL |
Ударостойкость при работе | 1500 |
Ударостойкость при хранении | 1500 |
Форм-фактор | M.2 2280 |
Энергопотребление при работе | 5.3 |
Тип памяти | 3D NAND TLC |
Высота | 20 |
Ширина | 100 |
Ссылка на описание | https://www.samsung.com/ru/memory-storage/nvme-ssd/980-1tb-nvme-pcie-gen-3-mz-v8v1t0bw/ |
Вопросы и ответы 0
-
Еще не было вопросов