Версия PCI-EPCIe 4.0 x4 w/NVMe | Внешняя скорость передачи данных, до, МБ/с7876 | Высота, мм4751 |
Глубина, мм20949 | Максимальная скорость записи, МБ/с6900 | Максимальная скорость чтения, МБ/с7450 |
Номинальный объем, ГБ4000 | Объем буфера, МБ4096 | Поддержка Background Garbage CollectionДа |
Накопители SSD мы закупаем у официальных поставщиков в России. Твердотельный накопитель SSD Samsung M.2 2280 4TB 990 PRO NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 400 000/1 550 000, DRAM buffer 4096MB, TBW 2400, DWPD 0.33 - соответствует РСТ, сертифицированный продукт в РФ. Если Вы нашли модель MZ-V9P4T0BW дешевле, напишите нам! Мы предоставим выгодные условия для покупки. Также следите за нашими акциями, ведь приобрести Твердотельный накопитель SSD Samsung M.2 2280 4TB 990 PRO NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 400 000/1 550 000, DRAM buffer 4096MB, TBW 2400, DWPD 0.33 можно еще более выгодно, воспользовавшись акцией "Обмен старого на новое".
Магазин Макс Технолоджи находится в Курске, но мы осуществляем доставка по всей России ТК СДЭК и другими компаниями.
Будем рады ответить на Ваши вопросы о Твердотельный накопитель SSD Samsung M.2 2280 4TB 990 PRO NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 400 000/1 550 000, DRAM buffer 4096MB, TBW 2400, DWPD 0.33 в онлайн-консультанте, по телефону +7(4712) 770-449 или в группе Вконтакте
Версия PCI-E | PCIe 4.0 x4 w/NVMe |
---|---|
Внешняя скорость передачи данных, до, МБ/с | 7876 |
Высота, мм | 4751 |
Глубина, мм | 20949 |
Максимальная скорость записи, МБ/с | 6900 |
Максимальная скорость чтения, МБ/с | 7450 |
Номинальный объем, ГБ | 4000 |
Объем буфера, МБ | 4096 |
Поддержка Background Garbage Collection | Да |
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format) | Да |
Позиционирование использования | Desktop |
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS | 1600 |
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS | 1550 |
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час. | 1500 |
Тип | Внутренний твердотельный накопитель |
Тип буферной памяти | LPDDR4 |
Тип интерфейса | PCI Express |
Тип комплектации | RTL |
Ударостойкость при работе, G | 1500 |
Форм-фактор накопителя | M.2 2280 |
Ширина, мм | 2072 |
Энергопотребление при работе, max, Вт | 8.5 |
Тип памяти | V-NAND TLC |
Серия продукции | 990 PRO |
Особенности | Поддержка TRIM, S.M.A.R.T. |
Комплект поставки | Накопитель, инструкция |
Ссылка на описание | https://www.samsung.com/au/memory-storage/nvme-ssd/990-pro-4tb-nvme-pcie-gen-4-mz-v9p4t0bw/ |
-
Еще не было вопросов