8GB Samsung DDR4 2933 DIMM M378A1K43EB2-CVF00 Non-ECC, CL21, 1.2V, 1Rx8, Bulk
Популярно
Рассрочка 0-0-12
Характеристики
Activate to Precharge Delay (tRAS)44 | CAS Latency (CL)21 | RAS to CAS Delay (tRCD)21 |
Row Precharge Delay (tRP)21 | Количество контактов288 | Количество модулей в комплекте1 |
Количество чипов на модуле8 | Напряжение питания1.2 | НизкопрофильнаяНет |
Нашли дешевле?
Введите адрес доставки
Описание
Серия продукции: M378
Тип памяти: Unbuffered
Форм-фактор: DIMM
Стандарт памяти: DDR4
Объем одного модуля, ГБ: 8
Количество модулей в комплекте, шт: 1
Суммарный объем, ГБ: 8
Эффективная частота, МГц: 2933
Пропускная способность, Мб/с: 23400
Поддержка ECC: Нет
Низкопрофильная: Нет
Количество чипов на модуле, шт: 8
Количество контактов: 288
CAS Latency (CL): 21
RAS to CAS Delay (tRCD): 21
Row Precharge Delay (tRP): 21
Activate to Precharge Delay (tRAS): 44
Напряжение питания, В: 1.2
Нормальная операционная температура, °C: 85
Расширенная операционная температура, °C: 95
Габариты:
Ширина, мм: 133.35
Высота, мм: 31.25
Вид поставки: OEM
Ссылка на описание: https://www.samsung.com/semiconductor/dram/module/M378A1K43DB2-CVF/
Тип памяти: Unbuffered
Форм-фактор: DIMM
Стандарт памяти: DDR4
Объем одного модуля, ГБ: 8
Количество модулей в комплекте, шт: 1
Суммарный объем, ГБ: 8
Эффективная частота, МГц: 2933
Пропускная способность, Мб/с: 23400
Поддержка ECC: Нет
Низкопрофильная: Нет
Количество чипов на модуле, шт: 8
Количество контактов: 288
CAS Latency (CL): 21
RAS to CAS Delay (tRCD): 21
Row Precharge Delay (tRP): 21
Activate to Precharge Delay (tRAS): 44
Напряжение питания, В: 1.2
Нормальная операционная температура, °C: 85
Расширенная операционная температура, °C: 95
Габариты:
Ширина, мм: 133.35
Высота, мм: 31.25
Вид поставки: OEM
Ссылка на описание: https://www.samsung.com/semiconductor/dram/module/M378A1K43DB2-CVF/
Технические характеристики 8GB Samsung DDR4 2933 DIMM M378A1K43EB2-CVF00 Non-ECC, CL21, 1.2V, 1Rx8, Bulk
Общие сведения
Activate to Precharge Delay (tRAS) | 44 |
---|---|
CAS Latency (CL) | 21 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 21 |
Row Precharge Delay (tRP) | 21 |
Количество контактов | 288 |
Количество модулей в комплекте | 1 |
Количество чипов на модуле | 8 |
Напряжение питания | 1.2 |
Низкопрофильная | Нет |
Нормальная операционная температура | 85 |
Объем одного модуля | 8 |
Поддержка ECC | Нет |
Пропускная способность | 23400 |
Расширенная операционная температура | 95 |
Стандарт памяти | DDR4 |
Суммарный объем | 8 |
Форм-фактор | DIMM |
Вид поставки | OEM |
Тип памяти | Unbuffered |
Эффективная частота | 2933 |
Серия продукции | M378 |
Высота | 31.25 |
Ширина | 133.35 |
Ссылка на описание | https://www.samsung.com/semiconductor/dram/module/M378A1K43DB2-CVF/ |
Вопросы и ответы 0
-
Еще не было вопросов